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PSEL制冷型阵列短波红外相机InGaAs
详细信息| 询价留言品牌：PSEL 型号：InGaAs 加工定制：否 尺寸：参考说明 mm 适用范围：参考说明 加工定制：否 PSEL制冷型InGaAs短波红外相机
PSEL公司使用的InGaAs阵列短波红外相机，具有极低低暗电流和低缺陷像素数。得益于高效的冷却和稳定的偏置基线，PSEL的短波红外InGaAs相机可以在SWIR光谱中进行精确的计量测量。Camera Link和千兆以太网视觉兼容的界面接口使相机集成到客户现有系统变得很容易。具有可见光扩展的640 x 512 VGA SWIR芯片以及320 x 256分辨率的qVGA两种选择。
有特殊要求项目或冷却选项的OEM客户自定义版本可用于集成到客户特定的仪器/系统中。
制冷型InGaAs短波红外相机主要特征：
- 14bit 数字化读出/16bit 影像处理；
- 读出噪音低至 30-120e-
- 帧频 >110fps;
- 完美线性响应在不同强度或曝光；
- 千兆以太网/ Camera Link 接口
- l提供SDK软件开发包和Labview VI
主要应用：
- IC器件检测、IC工艺过程检测
- 短波红外嵌入式视觉加强系统
- 短波红外机载装备
- 太阳能电池的光致发光
- 天文
- 高光谱成像
- 激光束整形
技术参数：
型号
PSEL VGA 15μm
PSEL qVGA 30μm
光谱响应范围
900-1700nm
帧频
174fps(在全VGA分辨率下） 570fps(在1/4 VGA分辨率下） 7200fps( 640x4分辨率或光谱模式）
110 fps 在全幅qVGA 分辨率
芯片尺寸
9.6mmx7.68mm
像素分辨率
640x512像素
320x256像素
单像元大小
15um x 15um
30um x 30um
满阱容量
20k-23k e-(高增益模式）
80k-105ke-(中增益模式）
1000K-1500k e-(低增益模式）
110k-150k e- （高增益模式）
1500k-2200k e- (低增益模式)
读出噪声
28-38e-(高增益模式）
50-77e-(中增益模式）
500-800e-(低增益模式）
110-200e-(高增益模式）
1000-1590e-(低增益模式）
制冷温度
-25°C (风冷）; -40°C (水冷）
-20°C (风冷）; -40°C (水冷）
暗电流
<0.7fA（风冷）; <0.1fA (水冷）
<8 fA（风冷）; <0.5fA (水冷）
A/D
14-bit 数字化读出，16-bit数字化处理
曝光时间
30us - 1 min
1us-1s
QE@ 1500 nm
80%
IC 版显微发光成像—水冷SWIR InGaAs 相机, 20倍物镜，曝光时间30s
MEMS 圆片透射显微红外成像—使用SWIR InGaAs 相机，6x 物镜，曝光时间15ms
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